DDR/DDR2/DDR3内存条有什么区别（内存条ddr3和ddr2区别）

大家好,今天就和小雪一起来看看这个问题吧 。内存条ddr3和ddr2区别，DDR/DDR2/DDR3内存条有什么区别很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

DDR/DDR2/DDR3内存模块之间的差异；ddr 1、2、3代内存外观的差异

DDR1:

一个槽口，单面92针，双面184针，左52右40，长方形记忆颗粒。

DDR2:

一个凹槽，单面120针，双面240针，左64右56，记忆颗粒方形，电压1.8V

DDR3:

一个凹槽，单面120针，双面240针，左72右48，记忆颗粒方形，电压1.5V

它的工作电压一直在降低，所以在性能提升的同时功耗也在逐渐降低。

至于主板上的插槽，三者是不一样的，内存接口也有小缝隙。DDR DDR2 DDR3内存每个内存的接口不会在同一个位置，所以购买时只能插上。在购买内存之前，您应该看好主板上的插槽支持的内存类型。且三个存储器模块不兼容。

DDR 2 DDR 3的内存容量差异

现在谁不是2G家用电脑？以上8G并不少见吧？部分游戏玩家的最低要求是4G吧？如果这发生在2000年，那时候谁会相信？

DDR1最小内存只有64M，最大内存只有1G。DDR 2最小内存256M，最大内存4M。当然，很少有人用DDR2 4G。一般1Gx2是这样用的。最小的DDR3是512M，最大的DDR 3是8G。一般4Gx2是这样用的。或者2Gx2这样用。

DDR 2 DDR 3在封装上的区别

早期的DDR封闭粒子是TSOP，用的是DDR2和DDR3的FBGA封装，DDR2用的是8位芯片60球/68球/84球FBGA封装，DDR3用的是16位芯片96球FBGA封装。而且DDR3必须是绿色包装，不能含有任何有害物质。

参考电压被分成两部分。在DDR3系统中，对存储系统非常重要的参考电压信号VREF将被分成两个信号，即服务于命令和地址信号的VREFCA和服务于数据总线的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪比水平。

Dddr2 DDR 3为突发长度(BL)

因为DDR3的预取是8bit，所以BurstLength (BL)也固定为8，而DDR的传输周期是2，而DDR2的传输周期是4。

DDR DDR2 DDR3在逻辑库数量上的差异

DDR有2个银行和4个银行。DDR2有4家银行和8家银行。到了DDR3的时候，已经有8家银行，16家银行了。目前是为了满足未来大容量芯片的要求，DDR3大概会从2G开始，所以有八个逻辑库。此外，它还为未来的16个逻辑银行做好了准备。

解决时序问题DDR2 DDR3

从DDR 1代到2代再到3代内存，延迟周期数一直在增加，3代内存的CL周期相对于2代内存也会相应增加。第二代存储器的CL范围一般在2-5之间，而第二代存储器增加到了5-11之间，第三代存储器延迟(AL)的设计也发生了变化。第二代内存的AL范围是0到4，而第三代内存有三个选项，分别是0、CL-1和CL-2。此外，第三代存储器还增加了一个新的时序参数——写延迟。

与DDR2 DDR相比，DDR3的新特性

DDR新增的复位功能是DDR3的一个重要功能，为此功能专门准备了一个管脚。此引脚将简化DDR3的初始化。当复位命令有效时，DDR3存储器将停止所有操作，并切换到最小活动状态以节省功率。

DDR3新增了ZQ校准功能，ZQ也是一个新的引脚。240欧姆的低容差基准电阻连接到此引脚。通过命令集，此引脚通过片内校准引擎(ODCE)自动检查数据输出驱动器的导通电阻和ODT的终端电阻。当系统发送此指令时，导通电阻和ODT电阻将使用相应的时钟周期重新校准(通电和初始化后512个时钟周期，自刷新操作后256个时钟周期，其他情况下64个时钟周期)。

以上是关于DDR，DDR2，DDR3的区别和歧视。当然，用户在没有实际测量工具的情况下，也可以使用第三方软件进行检测，但检测信息并不是绝对正确的。

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这篇文章到此就结束，希望能帮助到大家。